Барьерная емкость диодных структур на основе компенсированных полупроводников с глубокими примесными уровнямистатья

Работа с статьей


[1] Мурыгин В. И., Лосев В. В., Гундырев В. Б. Барьерная емкость диодных структур на основе компенсированных полупроводников с глубокими примесными уровнями // Известия Вузов сер. электроника. — 2003. — № 4. — С. 13–19.

Публикация в формате сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл скрыть