EXAFS studies of InTe - based narrow-gap semiconductorsтезисы доклада

Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 3 июля 2019 г.

Работа с тезисами доклада


[1] Exafs studies of inte - based narrow-gap semiconductors / A. I. Lebedev, I. A. Sluchinskaya, A. V. Michurin et al. // Abstracts of the 10th International Conference XAFS X. — R5. — Chicago, 1998. — P. 4–38.

Публикация в формате сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл скрыть