Эпитаксиальный рост и спектроскопические исследования пленок Gd3(Al,Ga)5O12:Ceтезисы доклада

Работа с тезисами доклада


[1] Эпитаксиальный рост и спектроскопические исследования пленок gd3(al,ga)5o12:ce / Н. В. Васильева, И. В. Рандошкин, Д. А. Спасский и др. // Тезисы конференции стран СНГ по росту кристаллов, РК СНГ-2012. Харьков. 1-5 октября 2012 г. — Украина, г. Харьков, 2012. — С. 53–53.

Публикация в формате сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл скрыть