Fluorine-doped ZnO (FZO) films produced by corona-discharge-assisted ultrasonic spray pyrolysis and hydrogenation as electron-selective contacts in FZO/SiOx/p-Si heterojunction crystalline silicon solar cells with 11.7% efficiencyстатья

Статья опубликована в высокорейтинговом журнале

Информация о цитировании статьи получена из Scopus, Web of Science
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 12 сентября 2019 г.

Работа с статьей


[1] Untila G. G., Kost T. N., Chebotareva A. B. Fluorine-doped zno (fzo) films produced by corona-discharge-assisted ultrasonic spray pyrolysis and hydrogenation as electron-selective contacts in fzo/siox/p-si heterojunction crystalline silicon solar cells with 11.7% efficiency // Solar Energy. — 2019. — Vol. 179. — P. 352–362. In this paper, we report the fabrication of an F-doped ZnO (FZO)/SiOx/(pp+)Cz-Si heterostructure by growing thin FZO films on (pp+)Cz-Si substrates by a novel, corona-discharge-assisted ultrasonic spray pyrolysis (CDA-USP) technique in combination with post-deposition annealing in hydrogen. We examine the effect of the F/Zn ratio and acetic acid concentration in film-forming solution on the structure, morphology, growth rate, and electrical properties of the FZO films and on the photovoltaic properties of FZO/SiOx/(pp+)Cz-Si structures. Under 1-sun illumination, a solar cell produced using the FZO/SiOx/(pp+)Cz-Si structure has an open-circuit voltage of 542 mV, a short-circuit current of 35.3 mA/cm2, and a solar cell efficiency (referred to the total area) of 11.7%, the highest value reported to date for TCO/Si heterojunction solar cells with ZnO-based TCOs. [ DOI ]

Публикация в формате сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл скрыть