|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных |
||
Fluorine-doped ZnO (FZO) films produced by corona-discharge-assisted ultrasonic spray pyrolysis and hydrogenation as electron-selective contacts in FZO/SiOx/p-Si heterojunction crystalline silicon solar cells with 11.7% efficiencyстатья
Статья опубликована в высокорейтинговом журнале
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science,
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 12 сентября 2019 г.
- Авторы: Untila G.G., Kost T.N., Chebotareva A.B.
- Журнал: Solar Energy
- Том: 179
- Год издания: 2019
- Издательство: Pergamon Press Ltd.
- Местоположение издательства: United Kingdom
- Первая страница: 352
- Последняя страница: 362
- DOI: 10.1016/j.solener.2018.12.073
- Аннотация: In this paper, we report the fabrication of an F-doped ZnO (FZO)/SiOx/(pp+)Cz-Si heterostructure by growing thin FZO films on (pp+)Cz-Si substrates by a novel, corona-discharge-assisted ultrasonic spray pyrolysis (CDA-USP) technique in combination with post-deposition annealing in hydrogen. We examine the effect of the F/Zn ratio and acetic acid concentration in film-forming solution on the structure, morphology, growth rate, and electrical properties of the FZO films and on the photovoltaic properties of FZO/SiOx/(pp+)Cz-Si structures. Under 1-sun illumination, a solar cell produced using the FZO/SiOx/(pp+)Cz-Si structure has an open-circuit voltage of 542 mV, a short-circuit current of 35.3 mA/cm2, and a solar cell efficiency (referred to the total area) of 11.7%, the highest value reported to date for TCO/Si heterojunction solar cells with ZnO-based TCOs.
- Добавил в систему: Унтила Геннадий Григорьевич