EFFECT OF WATER ADSORPTION ON THE KINETICS OF CHARGE EXCHANGE OF THE SLOW STATES IN SILICONстатья

Информация о цитировании статьи получена из Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 28 июня 2016 г.

Работа с статьей


[1] Kozlov S. N., Levshin N. L. Effect of water adsorption on the kinetics of charge exchange of the slow states in silicon // Moscow University Physics Bulletin. — 1983. — Vol. 38, no. 3. — P. 93–96. The kinetics of slow relaxation of the charge on silicon surfaces in water-vapor atmosphere is studied over a wide time range (10** minus **2 approximately less than t approximately less than 10**5 sec). It is shown that the experimental data agree fully with the ideas of the electronic-vibrational model for the charge exchange of the slow states. The form of kinetic curves corresponds to the Gaussian distribution over the energies of the O-H vibrational modes of the adsorbed complexes, which include rigidly adsorbed water molecules.

Публикация в формате сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл скрыть