ЧИСЛЕННОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ НЕУСТОЙЧИВОСТИ МОЛЕКУЛЯРНОЙ НАНОСТРУКТУРЫ ПОЛУПРОВОДНИКАВ ТОЧКАХ БИФУРКАЦИИ ВОЛЬТ-АМПЕРНОЙ ХАРАКТЕРИСТИКИстатья

Статья опубликована в журнале из перечня ВАК
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 26 июня 2019 г.

Работа с статьей


[1] Попов А. М. ЧИСЛЕННОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ НЕУСТОЙЧИВОСТИ МОЛЕКУЛЯРНОЙ НАНОСТРУКТУРЫ ПОЛУПРОВОДНИКАВ ТОЧКАХ БИФУРКАЦИИ ВОЛЬТ-АМПЕРНОЙ ХАРАКТЕРИСТИКИ // Computational nanotechnology. — 2018. — № 4. — С. 41–47. Работа посвящена численному моделированию неустойчивости молекулярной наноструктуры полупроводника в точках бифуркации вольт-амперной характеристики имеющей S-форму. Исследование имеет важное значение для разработки памяти, основанной на фазовых переходах в полупроводнике. Проводится анализ модели, которая может быть положена в основу переключательного поведения молекулярной структуры наноточки. Предложена многомасштабная модель цикла работы устройства. Модель объединяет квантовую молекулярную динамику Кар–Парринелло (CPMD) с анализом динамики системы в особых точках (точках бифуркации) S-образной вольт-амперной характеристики полупроводника с отрицательной дифференциальной проводимостью. Показано, что выбранный подход позволяет моделировать полный цикл переключательного поведения наноустройств памяти основанных на фазовых переходах.

Публикация в формате сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл скрыть