Er,Yb:GdAl3(BO3)4 laser passively Q-switched by MBE-grown Cr:ZnS thin filmsстатья

Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 26 июня 2019 г.

Работа с статьей


[1] Er,yb:gdal3(bo3)4 laser passively q-switched by mbe-grown cr:zns thin films / K. N. Gorbachenya, V. E. Kisel, A. S. Yasukevich et al. // Proc. of CLEO®/EQEC, Munich, Germany, June 25-29, 2017. — CLEO®/EQEC Munich, Germany, 2017. — P. Paper CA–1.2 SUN. A single-layer MBE-grown Cr:ZnS is employed for passive Q-switching of an Er, Yb:GdAl3(BO3)4 (Er,Yb:GdAB) compact laser. This laser is emitting in the eye-safe range at 1.5 1.7 μm.

Публикация в формате сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл скрыть