Выберите категорию обращения:
Общие вопросы
Отчеты
Рейтинги
Мониторинговый отчёт
Диссертационные советы
Конкурсы
Ввод данных
Структура организаций
Аспирантура
Научное оборудование
Импорт педагогической нагрузки
Журналы и импакт-факторы
Тема обращения:
Описание проблемы:
Введите почтовый адрес:
ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных
Главная
Поиск
Статистика
О проекте
Помощь
Er,Yb:GdAl3(BO3)4 laser passively Q-switched by MBE-grown Cr:ZnS thin films
статья
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 26 июня 2019 г.
Авторы:
Gorbachenya K.N.
,
Kisel V.E.
,
Yasukevich A.S.
,
Tolstik N.
,
Karhu E.
,
Furtula V.
,
Sorokin E.
,
Maltsev V.V.
,
Leonyuk N.I.
,
Galinis A.
,
Lipinskas T.
,
Gibson U.
,
Sorokina I.T.
,
Kuleshov N.V.
Сборник:
Proc. of CLEO®/EQEC, Munich, Germany, June 25-29, 2017
Год издания:
2017
Место издания:
CLEO®/EQEC Munich, Germany
Первая страница:
Paper CA-1.2 SUN
Аннотация:
A single-layer MBE-grown Cr:ZnS is employed for passive Q-switching of an Er, Yb:GdAl3(BO3)4 (Er,Yb:GdAB) compact laser. This laser is emitting in the eye-safe range at 1.5 1.7 μm.
Добавил в систему:
Леонюк Николай Иванович