de Haas-van Alphen effect investigation of the electronic structure of Al-substituted MgB2статья

Статья опубликована в высокорейтинговом журнале

Информация о цитировании статьи получена из Scopus, Web of Science
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 18 июля 2013 г.

Работа с статьей


[1] de haas-van alphen effect investigation of the electronic structure of al-substituted mgb2 / A. Carrington, J. D. Fletcher, J. R. Cooper et al. // Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics. — 2005. — Vol. 72, no. 6. — P. 060507. We report a de Haas-van Alphen (dHvA) study of the electronic structure of Al-doped crystals of MgB2. We have measured crystals with similar to 7.5% Al, which have a T-c of 33.6 K (similar to 14% lower than pure MgB2). dHvA frequencies for the sigma-tube orbits in the doped samples are lower than in pure MgB2, implying a 16 +/- 2 % reduction in the number of holes in this sheet of Fermi surface. The mass of the quasiparticles on the larger sigma orbit is lighter than the pure case indicating a reduction in electron-phonon coupling constant lambda. These observations are compared with band-structure calculations, and found to be in excellent agreement. [ DOI ]

Публикация в формате сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл скрыть