|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных |
||
Microstructure and electrical properties of thin HfO2 deposited by plasma-enhanced atomic layer depositionстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science,
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 26 декабря 2018 г.
- Авторы: Chesnokov Yu M., Miakonkikh A.V., Rogozhin A.E., Rudenko K.V., Vasiliev A.L.
- Журнал: Journal of Materials Science
- Том: 53
- Номер: 10
- Год издания: 2018
- Издательство: Springer Nature
- Местоположение издательства: Switzerland
- Первая страница: 7214
- Последняя страница: 7223
- DOI: 10.1007/s10853-018-2099-5
- Добавил в систему: Карташов Игорь Николаевич