RESONANCES OF INTERBAND IMPACT IONIZATION IN NARROW-GAP SEMICONDUCTORS IN A QUANTIZING MAGNETIC-FIELD - THEORY AND EXPERIMENTстатья

Информация о цитировании статьи получена из Scopus, Web of Science
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 18 июля 2013 г.

Работа с статьей


[1] Resonances of interband impact ionization in narrow-gap semiconductors in a quantizing magnetic-field - theory and experiment / S. BENESLAVSKIJ, E. BOGDANOV, L. FLEYSHMAN et al. // Semiconductor Science and Technology. — 1992. — Vol. 7, no. 1. — P. 109–118.

Публикация в формате сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл скрыть