INTERBAND IMPACT IONIZATION RESONANCES IN BI1-XSBX SEMICONDUCTORS IN A QUANTIZING MAGNETIC-FIELDстатья

Информация о цитировании статьи получена из Web of Science
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 29 мая 2015 г.

Работа с статьей


[1] Interband impact ionization resonances in bi1-xsbx semiconductors in a quantizing magnetic-field / S. BENESLAVSKII, E. BOGDANOV, V. MANANKOV et al. // Zhurnal Eksperimentalnoi I Teoreticheskoi Fiziki. — 1990. — Vol. 98, no. 5. — P. 1790–1803.

Публикация в формате сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл скрыть