Ормонт Фотоиндуцированные изменения фотопроводимости в нелегированных пленках аморфного гидрированного кремния при температурах выше комнатныхтезисы доклада

Работа с тезисами доклада


[1] Курова И. А., Ормонт Н. Н. Ормонт Фотоиндуцированные изменения фотопроводимости в нелегированных пленках аморфного гидрированного кремния при температурах выше комнатных // Сборник трудов Международной конференции "Аморфные и микрокристаллические полупроводники". — ПОЛИТЕХ-ПРЕСС, Санкт-Петербург Санкт-Петербург, 2018. — С. 61–62. Фотопроводимость нелегированных пленок a-Si:H после их засветки при температуре выше 400 К увеличивается вследствие роста энергии Ферми, что может быть обусловлено образованием фотоиндуцированных дефектов донорного типа в верхней половине запрещенной зоны. Предположено, что такими дефектами могут быть дефекты типа центровой связи водорода Si-H-Si - оборванная связь кремния с H-Si связью. Уменьшение величины параметра гамма люкс-амперных характеристик от значений ∼1 в исследованных отожженных пленках a-Si:H до 0.65 в засвеченных пленках может быть обусловлено включением в процесс рекомбинации электронов дополнительного канала - бимолекулярной рекомбинации на урони хвоста зоны проводимости. Показано также, что при этом уменьшение параметра гамма определялось увеличением скорости рекомбинации электронов в засвеченных пленках вследствие включения дополнительного процесса рекомбинации - бимолекулярной рекомбинации на уровнях хвоста зоны проводимости.

Публикация в формате сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл скрыть