Giant enhancement of free charge carrier concentration in boron-doped amorphous hydrogenated silicon under femtosecond laser crystallizationстатья

Статья опубликована в высокорейтинговом журнале

Информация о цитировании статьи получена из Scopus, Web of Science
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 22 февраля 2019 г.