CHARACTERISTICS OF FORMATION OF DEFECTS, AND OF THE SPATIAL-DISTRIBUTION AND LOCALIZATION OF AS ATOMS IMPLANTED IN SILICON UNDER CHANNELING CONDITIONS AT AN ELEVATED-TEMPERATURE

	ИСТИНА	Войти в систему Регистрация
	Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных
	Главная Поиск Статистика О проекте Помощь

CHARACTERISTICS OF FORMATION OF DEFECTS, AND OF THE SPATIAL-DISTRIBUTION AND LOCALIZATION OF AS ATOMS IMPLANTED IN SILICON UNDER CHANNELING CONDITIONS AT AN ELEVATED-TEMPERATUREстатья

Информация о цитировании статьи получена из Web of Science
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 21 мая 2019 г.