|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных |
||
Photoluminescence and Electrical Properties of GaAs (111)A Epitaxial Layers Prepared by MOCVDтезисы доклада
- Авторы: Krukovskyi R., Smits K., Krutyak N., Semkiv I., Petrus R., Saldan I., Krukovskyi S., Ilchuk H.
- Сборник: Book of Abstracts of 12th International Scientific Conference on Fuctional Materials and Nanotechnologies FM&NT-2018
- Тезисы
- Год издания: 2018
- Место издания: Institute of Solid State Physics, University of Latvia, Riga, Latvia
- Первая страница: 239
- Добавил в систему: Крутяк Наталия Романовна