|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных |
||
Bimolecular Recombination of Charge Carriers in Polar Amorphous Organic Semiconductors: Effect of Spatial Correlation of the Random Energy Landscapeстатья
Статья опубликована в высокорейтинговом журнале
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science,
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 20 ноября 2018 г.
- Автор: Novikov S.V.
- Журнал: Journal of Physical Chemistry C
- Том: 122
- Номер: 40
- Год издания: 2018
- Издательство: American Chemical Society
- Местоположение издательства: United States
- Первая страница: 22856
- Последняя страница: 22863
- DOI: 10.1021/acs.jpcc.8b06768
- Аннотация: We present a simple model of the bimolecular charge carrier recombination in polar amorphous organic semiconductors in which the dominant part of the energetic disorder is provided by permanent dipoles and show that the recombination rate constant could be much smaller than the corresponding Langevin rate constant. The reason for the strong decrease of the rate constant is the long-range spatial correlation of the random energy landscape in amorphous dipolar materials; without spatial correlation, even strong disorder does not modify the Langevin rate constant. Our study shows that the significant suppression of the bimolecular recombination could take place in homogeneous amorphous organic semiconductors and does not need large-scale inhomogeneity of the material.
- Добавил в систему: Новиков Сергей Витальевич