Аномальная релаксация фотоиндуцированных состояний в пленках a-Si:Hтезисы доклада

Работа с тезисами доклада


[1] Аномальная релаксация фотоиндуцированных состояний в пленках a-si:h / И. П. Звягин, А. Г. Казанский, И. А. Курова, Н. Н. Ормонт // Тезисы докладов научного семинара “Новые идеи в физике стекла”. — г. Москва, РХТУ им. Д.И.Менделеева, 1997. — С. 20–21. Наблюдалась немонотонная кинетика структурных изменений в пленках a-Si:H при температурах выше 100С. Это указывает на сосуществование двух процессов, которые описываются растянутыми экспонентами. Быстрый процесс определяется созданиемо борванными связями кремния. Медленный процесс имеет аномальные характеристики. Для описания аномальных процессов использовалась феноменологическая модель, основанная на трехуровневой конфигурационной диаграмме с коррелированными энергиями активации для создания и отжига фотоиндуцированного метастабильного состояния.

Публикация в формате сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл скрыть