Релаксация фотоиндуцированных и термоиндуцированных метастабильных состояний в пленках a-Si:H(Pтезисы доклада

Работа с тезисами доклада


[1] Релаксация фотоиндуцированных и термоиндуцированных метастабильных состояний в пленках a-si:h(p / И. П. Звягин, А. Г. Казанский, И. А. Курова и др. // Доклады научного семинара “Решетка Тарасова и новые проблемы стеклообразного состояния”, с.51, Москва, 1999г. — г. Москва, РХТУ им. Д.И.Менделеева, 1999. — С. 51–52. Получено, что в легированных пленках a-Si:H под влиянием освещения или закалки (быстрого охлаждения) образуются фотоиндуцированные и термоиндуцированные метастабильные состояния (ФМС и ТМС), обуславливающие повышение проводимости. Проведены исследования релаксации ФМС и ТМС в одних и тех же пленках a-Si:H(P). Установлено, что релаксация как ФМС, так и ТМС описывается растянутой экспонентой с параметрами по-разному зависящими от температуры. Образование ФМС и ТМС, приводящих к повышению темновой проводимости, может быть связано с активацией пассивированных водородом атомов фосфора.

Публикация в формате сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл скрыть