О механизмах рекомбинации неравновесных носителей заряда в аморфном кремниитезисы доклада

Работа с тезисами доклада


[1] Звягин И. П., Курова И. А., Ормонт Н. Н. О механизмах рекомбинации неравновесных носителей заряда в аморфном кремнии // Тезисы докладов I Российской конференции по физике полупроводников. — Т. 1. — г. Нижний Новгород, 1993. — С. 120. Проведены систематические исследования температурных зависимостей фотопроводимости и люкс-амперных характеристик легированных пленок a-Si:H после предварительного освещения при разных температурах. Наблюдалось подавление температурного гашения фотопроводимости. Для объяснения совокупности полученных данных предложена модель рекомбинации через комплексы дефектов пары близких оборванных связей кремния.

Публикация в формате сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл скрыть