О некоторых электрических и оптических свойствах статического акустоэлектрического домена в n-GaAs при 77Ктезисы доклада

Работа с тезисами доклада


[1] Курова И. А., Матохин В. В., Ормонт Н. Н. О некоторых электрических и оптических свойствах статического акустоэлектрического домена в n-gaas при 77К // Сборник докладов III-го Всесоюзного совещания по исследованию GaAs “Арсенид галлия”. — г. Томск, 1974. — С. 203. Впервые обнаружено ИК излучение из статического акустоэлектрического домена в GaAs при азотной температуре. Одновременно исследовалось распределение напряженности электрического поля в домене во времени. Предполагается, что в нестационарных условиях в результате взаимодействия различных звуковых потоков возникают микрообласти сильного переменного электрического поля внутри акустоэлектрического домена, где в результате ударной ионизации зона-зона генерируются неравновесные дырки и электроны, рекомбинирующие с излучением ИК света.

Публикация в формате сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл скрыть