ИК излучение из GaAs в режиме акустоэлектрической неустойчивоститезисы доклада

Работа с тезисами доклада


[1] Аносов И. В., Курова И. А., Ормонт Н. Н. ИК излучение из gaas в режиме акустоэлектрической неустойчивости // Доклады Всесоюзной конференции “Применение электролюминесценции в народном хозяйстве”. — Издательство ”Наукова думка” г. Киев, 1972. — С. 5. Обнаружено ИК излучение из GaAs в режиме акустоэлектрической неустойчивости. Определены размеры области излучения, длительность излучения и длина волны максимума излучения. Найдена возможность управления местом и временем излучения при использовании образцов сложной формы, основанная на использовании эффекта отражения звукового потока от области неоднородности электрического поля. Обсуждаются возможные механизмы возникновенив ИК излучения из акустоэлектрического домена.

Публикация в формате сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл скрыть