|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных |
||
Электрические и фотоэлектрические свойства слоистых пленок a-Si:Hтезисы доклада
- Авторы: Афанасьев В.П., Гудовских А.С., Курова И.А., Ормонт Н.Н., Теруков Е.И., Трапезникова И.Н.
- Сборник: Тезисы докладов II Международной конференции "Аморфные и микрокристаллические полупроводники"
- Тезисы
- Год издания: 2000
- Место издания: Издательство СПбГТУ Санкт-Петербург
- Первая страница: 25
- Последняя страница: 25
- Аннотация: Приведены результаты иследований электрических и фотоэлектрических свойств пленок a-Si:H, выращенных послойно методом осаждения в плазме ВЧ разряда с отжигом в водороде каждого слоя и влияния на эти свойства следующего высокотемпературного отжига пленок при температурах выше 300С. Установлено, что в пленках, отожженных при температурах выше 500С, температурная зависимость проводимости не описывается простым активационным законом и имеется значительная проводимость в области низких температур. Обсуждается природа особенностей электрических и фотоэлектрических свойств слоистых пленок и влияния на них высокотемпературного отжига с учетом данных о концентрации водорода в неотожженных и отожженных пленках и наличии микрокристаллических включений в последних.
- Добавил в систему: Ормонт Наталия Николаевна