Электрические и фотоэлектрические свойства слоистых пленок a-Si:Hтезисы доклада

Работа с тезисами доклада


[1] Электрические и фотоэлектрические свойства слоистых пленок a-si:h / В. П. Афанасьев, А. С. Гудовских, И. А. Курова и др. // Тезисы докладов II Международной конференции Аморфные и микрокристаллические полупроводники. — Издательство СПбГТУ Санкт-Петербург, 2000. — С. 25–25. Приведены результаты иследований электрических и фотоэлектрических свойств пленок a-Si:H, выращенных послойно методом осаждения в плазме ВЧ разряда с отжигом в водороде каждого слоя и влияния на эти свойства следующего высокотемпературного отжига пленок при температурах выше 300С. Установлено, что в пленках, отожженных при температурах выше 500С, температурная зависимость проводимости не описывается простым активационным законом и имеется значительная проводимость в области низких температур. Обсуждается природа особенностей электрических и фотоэлектрических свойств слоистых пленок и влияния на них высокотемпературного отжига с учетом данных о концентрации водорода в неотожженных и отожженных пленках и наличии микрокристаллических включений в последних.

Публикация в формате сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл скрыть