Аннотация:Установлено, что в области температур 370-480К при освещении легированных пленок a-Si:H образуются два типа фотоиндуцированных метастабильных состояний - метастабильные оборванные связи (МОС) и метастабильные электрически активные примеси (МЭАП, которые определяют быстрый и медленный процессы изменения темновой проводимости во время и после освещения. Обнаружено, что механизмы образования релаксации МОС и МЭАП различны. Для объяснения образования и релаксации МЭАП предложен механизм, основанный на рассмотрении трехуровневой конфигурационной диаграммы и объясняющий особенности кинетики образования и релаксации МЭАП. Установлено, что кинетика релаксации МОС и МЭАП описывается растянутыми экспонентами с разными параметрами. Механизмом релаксации МОС и МЭАП является термический отжиг с разными эффективными энергиями отжига.