|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных |
||
Метод анализа пористости напыленных тонких пленок: результаты суперкомпьютерного моделированиястатья
Статья опубликована в журнале из списка RSCI Web of Science
Статья опубликована в журнале из перечня ВАКСтатья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 24 января 2020 г.
- Авторы: Григорьев Ф.В., Сулимов В.Б., Тихонравов А.В.
- Журнал: Вестник Московского университета. Серия 3: Физика, астрономия
- Том: 72
- Номер: 3
- Год издания: 2018
- Издательство: Изд-во Моск. ун-та
- Местоположение издательства: М.
- Первая страница: 74
- Последняя страница: 78
- Аннотация: The method for the atomistic clusters porosity analysis is presented. Porosity and pores radii are calculated based on coordinates of the atoms and their van der Waals radii. The pore volume is calculated as maximum volume of sphere inscribed into the pore. The method is applied to the silicon dioxide thin film that obtained as a result of the ion beam sputtering process simulation. The porosity and distribution of pores by their radii are calculated. The concentration of pores that can contain small molecules is estimated
- Добавил в систему: Григорьев Федор Васильевич