О влиянии светового излучения на изотермический отжиг метастабильных состояний в легированных пленках a-Si:Hтезисы доклада

Работа с тезисами доклада


[1] Курова И. А., Ормонт Н. Н., Громадин А. Л. О влиянии светового излучения на изотермический отжиг метастабильных состояний в легированных пленках a-si:h // Сборник трудов III Международной конференции “Аморфные и микрокристаллические полупроводники”. — Издательство СПбГПУ г. Санкт-Петербург, 2002. — С. 27–27. Исследовалось влияние слабой подсветки на изотермический отжиг фотоиндуцированных метастабильных состояний в легированных бором пленках a-Si:H. Получено, что в первую очередь образуются метастабильные электрически активные примеси (МЭАП) с малыми эффективными временами. Это определяет проявление отоиндуцированного отжига в преимущественном уменьшении концентрации МЭАП с большими значениями времен отжига.

Публикация в формате сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл скрыть