Электрические и фотоэлектрические свойства пленок a-Si:H, подвергнутых высокотемпературному отжигу в водородетезисы доклада

Работа с тезисами доклада


[1] Курова И. А., Нальгиева М. А., Ормонт Н. Н. Электрические и фотоэлектрические свойства пленок a-si:h, подвергнутых высокотемпературному отжигу в водороде // Сборник трудов IV Международной конференции Аморфные и микрокристаллические полупроводники. Санкт-Петербург, 2004 г.,с.61-62. — СПбГПУ Санкт-Петербург, 2004. — С. 61–62. В работе приведены результаты измерений температурных зависимостей темновой проводимости, фотопроводимости и люксамперные характеристики пленок a-Si:H до и после их высокотемпературного отжига в потоке водорода. Измеренные спектры комбинационного рассеяния и спектры поглощения света в этих отожженных пленках не обнаруживают кристаллической фазы. Наличие фотопроводимости в этих пленках, имеющих большую концентрацию оборванных связей кремния, являющихся центрами рекомбинации, можно объяснить присутствием в отожженной пленке слоя с малой концентрацией оборванных связей, который и является фотопроводящим слоем. При низких температурах наблюдается прыжковая проводимость с переменной длиной прыжка на уровне Ферми.

Публикация в формате сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл скрыть