|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных |
||
Steps on current-voltage characteristics of a silicon quantum dot covered by natural oxideстатья
Статья опубликована в высокорейтинговом журнале
Информация о цитировании статьи получена из
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 28 мая 2015 г.
- Авторы: Vyshenski S.V., Zeitler U., Haug R.J.
- Журнал: JETP Letters
- Том: 76
- Номер: 9
- Год издания: 2002
- Издательство: Maik Nauka/Interperiodica Publishing
- Местоположение издательства: Russian Federation
- Первая страница: 568
- Последняя страница: 571
- Добавил в систему: Вышенский Сергей Викторович