Особенности релаксации термоиндуцированных и фотоиндуцированных метастабильных состояний в пленках a-Si:H(Pстатья

Статья опубликована в журнале из списка RSCI Web of Science

Информация о цитировании статьи получена из Web of Science
Статья опубликована в журнале из перечня ВАК
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 29 мая 2015 г.

Работа с статьей


[1] Курова И. А., Ларина Э. В., Ормонт Н. Н. Особенности релаксации термоиндуцированных и фотоиндуцированных метастабильных состояний в пленках a-si:h(p // Физика и техника полупроводников. — 2000. — Т. 34, № 3. — С. 364–368. Обсуждается кинетика релаксации термоиндуцированных и фотоиндуцированных метастабильных состояний, обусловливающих повышение темновой проводимости пленок a-Si:H(P). Установлено, что релаксация описывается функциями типа растянутой экспоненты с параметрами, различно зависящими от температуры для фото- и термоиндуцированных состояний. Показано, что различные температурные зависимости параметра бетта коррелируют с температурными изменениями полуширины распределений по энергиям отжига этих состояний.Установленные особенности релаксации фото- и термоиндуцированных метастабильных состояний обусловлены разными механизмами их образования. Природа их может быть одна и связана с активацией пассивированных водородом атомов фосфора. [ DOI ]

Публикация в формате сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл скрыть