Электрические и фотоэлектрические свойства слоистых пленок a-Si:H и влияние на них термического отжигастатья

Статья опубликована в журнале из списка RSCI Web of Science

Информация о цитировании статьи получена из Scopus, Web of Science
Статья опубликована в журнале из перечня ВАК
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 20 сентября 2013 г.

Работа с статьей


[1] Электрические и фотоэлектрические свойства слоистых пленок a-si:h и влияние на них термического отжига / И. А. Курова, Н. Н. Ормонт, Е. И. Теруков и др. // Физика и техника полупроводников. — 2001. — Т. 35, № 3. — С. 367–370. Исследовались электрические и фотоэлектрические свойства слоистых пленок a-Si:H, полученных методом циклического плазмохимического осаждения, и влияние на эти свойства термического отжига. Показано, что фоточувствительность неотожженных пленок велика. С увеличением температуры отжига происходит уменьшение фоточувствительности за счет значительного уменьшения фотопроводимости и увеличения темновой проводимости. Проводимость пленок, отожженных при температуре выше 500С, определяется суммой зонной проводимости и прыжковой проводимости по состояниям вблизи уровня Ферми. [ DOI ]

Публикация в формате сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл скрыть