|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных |
||
Electrical transport properties of Dy0.5Gd4.5Si2Ge2 compoundстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science,
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 18 июля 2013 г.
- Авторы: Nirmala R., Sankaranarayanan V., Sethupathi K., Morozkin A.V., Yamamoto Y., Hori H.
- Журнал: Physica B: Condensed Matter
- Том: 373
- Год издания: 2006
- Издательство: Elsevier BV
- Местоположение издательства: Netherlands
- Первая страница: 120
- Последняя страница: 123
- DOI: 10.1016/j.physb.2005.11.101
- Аннотация: Polycrystalline, Dy0.5Gd4.5Si2Ge2 compound (monoclinic, space group P21/a) has been synthesized and characterized. This compound orders ferromagnetically at 210K (TC) followed by an antiferromagnetic-like transition at 21K (TN). The electrical resistivity, r, follows T2 law in the ferromagnetically ordered state indicating the presence of dominant single magnon scattering. There is a pronounced increase of resistivity in the vicinity of antiferromagnetic transition. Thermoelectric power, S, indicates a slope change near TC and has T3 dependence at low temperatures.
- Добавил в систему: Морозкин Александр Владимирович
Прикрепленные файлы
| № | Имя | Описание | Имя файла | Размер | Добавлен |
|---|---|---|---|---|---|
| 1. | Полный текст | DyGd4Si2Ge2.pdf | 779,6 КБ | 13 октября 2012 [morozkin] |