|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных |
||
Получение и свойства узкозонных полупроводников-сегнетоэлектриков Pb1-xGexTeстатья
- Авторы: Абдуллин Х.А., Калинин Э.А., Лебедев А.И., Новоселова А.В.
- Журнал: Электронная техника. Серия 6. Материалы
- Номер: 2(201)
- Год издания: 1985
- Первая страница: 58
- Последняя страница: 61
- Аннотация: Исследованы свойства твердых растворов Pb1-xGexTe (0 < x <= 0.2), полученных методом Бриджмена и из пара по механизмам пар--жидкость--кристалл и пар--кристалл. Получение кристаллов с большим x из расплава затруднено вследствие ликвации расплава. Кристаллы, полученные методом пар--кристалл, имеют самое высокое совершенство. Исследованы зависимости удельного сопротивления и постоянной Холла в p-Pb1-xGexTe от температуры. Зависимости коэффициента Холла указывают на наличие двух валентных зон, как и в PbTe. Показано, что по мере увеличения x зона тяжелых дырок сближается с зоной легких дырок.
- Добавил в систему: Лебедев Александр Иванович