Фотоиндуцированные процессы в пленках a-Si:H при повышенных температурахстатья

Статья опубликована в журнале из списка RSCI Web of Science

Информация о цитировании статьи получена из Web of Science
Статья опубликована в журнале из перечня ВАК
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 29 мая 2015 г.

Работа с статьей


[1] Фотоиндуцированные процессы в пленках a-si:h при повышенных температурах / И. А. Курова, Э. В. Ларина, Н. Н. Ормонт, Д. В. Сенашенко // Физика и техника полупроводников. — 1997. — Т. 31, № 12. — С. 1455–1459. Обнаружено, что при температурах больше 120С кинетика изменения темновой проводимости нелегированных и легированных бором пленок a-Si:H во время и после освещения немонотонна: имеются быстрый и медленный процессы изменения темновой проводимости разного знака. Изменением длительности и интенсивности освещения или температуры пленки можно выделить быстрый или медленный процессы релаксации темновой проводимости, которые описываются растянутой экспонентой. Немонотонная релаксация темновой проводимости описывается суммой растянутых экспонент, параметры которых зависят от характеристик пленки, а также от температуры, времени и интенсивности освещения. Обсуждается природа немонотонной релаксации. [ DOI ]

Публикация в формате сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл скрыть