Влияние высокотемпературного отжига на электрические свойства компенсированных пленок a-Si:H, содержащих бор и фторстатья

Статья опубликована в журнале из списка RSCI Web of Science
Статья опубликована в журнале из перечня ВАК
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 23 августа 2019 г.

Работа с статьей


[1] Курова И. А., Мирошник О. Н., Ормонт Н. Н. Влияние высокотемпературного отжига на электрические свойства компенсированных пленок a-si:h, содержащих бор и фтор // Физика и техника полупроводников. — 1996. — Т. 31, № 4. — С. 727–729. Исследовано влияние высокотемпературного отжига на темновую проводимость и фотопроводимость пленок a-Si:H, содержащих одновременно донорную (P) и акцепторную (B) примеси.

Публикация в формате сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл скрыть