О температурном гашении фотопроводимости в нелегированных пленках a-Si:Hстатья
Статья опубликована в журнале из списка RSCI Web of Science
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science
Статья опубликована в журнале из перечня ВАК
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 23 января 2020 г.
Аннотация:Обнаружена зависимость глубины температурного гашения фотопроводимости от длины волны возбуждающего света. Обсуждается модель рекомбинации и возникновения температурного гашения межзонной фотопроводимости в нелегированных пленках a-Si:H с малой концентрацией оборванных связей кремния.