DAMAGE AND ALUMINUM DISTRIBUTIONS IN SIC DURING ION-IMPLANTATION AND ANNEALINGстатья

Информация о цитировании статьи получена из Scopus, Web of Science
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 18 июля 2013 г.

Работа с статьей


[1] Damage and aluminum distributions in sic during ion-implantation and annealing / N. G. Chechenin, K. K. Bourdelle, A. V. Suvorov, A. X. Kastiliovitloch // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms. — 1992. — Vol. 65, no. 1-4. — P. 341–344. Damage buildup in SiC during ion implantation of Al+ with an energy of 90 keV and fluences of 10(13)-10(16) ions/cm2 at room temperature was studied. It was observed that the surface concentration of displaced host atoms and chi(min) increase rapidly in the fluence range of 3 x 10(13)-10(15) cm-2 and change weakly outside this range. The amorphization of the surface layer occurred at a fluence of phi(c) almost-equal-to 8 x 10(14) cm-2. The thickness of the amorphous layer as well as the depth and the width of the Al-atoms profile exceed the values calculated for an amorphous target. The possibility of recrystallizing the damaged layer depended on the ion fluence. The precipitation of Al-atoms at structural defects was observed.

Публикация в формате сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл скрыть