|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных |
||
A CHANNELING STUDY OF ION-PRODUCED DISORDER IN SILICON-CARBIDEстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Scopus,
Web of Science
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 18 июля 2013 г.
- Авторы: Chechenin N.G., Bourdelle K.K., Suvorov A.V.
- Журнал: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms
- Том: 48
- Номер: 1-4
- Год издания: 1990
- Издательство: Elsevier BV
- Местоположение издательства: Netherlands
- Первая страница: 235
- Последняя страница: 239
- Добавил в систему: Чеченин Николай Гаврилович