A CHANNELING STUDY OF ION-PRODUCED DISORDER IN SILICON-CARBIDEстатья

Информация о цитировании статьи получена из Scopus, Web of Science
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 18 июля 2013 г.

Работа с статьей


[1] Chechenin N. G., Bourdelle K. K., Suvorov A. V. A channeling study of ion-produced disorder in silicon-carbide // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms. — 1990. — Vol. 48, no. 1-4. — P. 235–239.

Публикация в формате сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл скрыть