STUDY OF DEFECT-FORMATION IN SILICON-CARBIDE UNDER THE EXCIMER LASER-PULSE EFFECT BY THE CHANNELING TECHNIQUEстатья

Информация о цитировании статьи получена из Web of Science
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 29 мая 2015 г.

Работа с статьей


[1] Study of defect-formation in silicon-carbide under the excimer laser-pulse effect by the channeling technique / K. K. Burdel, A. S. Akhmanov, A. Y. Poroikov et al. // PISMA V ZHURNAL TEKHNICHESKOI FIZIKI. — 1990. — Vol. 16, no. 3. — P. 71–76.

Публикация в формате сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл скрыть