THE LOCATION OF SUBSTITUTIONAL FOREIGN ATOMS IN GAAS BY ASYMMETRY OF BACKSCATTERING YIELD NEAR (110)статья

Информация о цитировании статьи получена из Web of Science
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 29 мая 2015 г.

Работа с статьей


[1] The location of substitutional foreign atoms in gaas by asymmetry of backscattering yield near (110) / J. U. Andersen, N. G. Chechenin, Y. A. Timoshnikov, Z. H. Zhang // Radiation Effects and Defects in Solids. — 1984. — Vol. 83, no. 1-2. — P. 91–97.

Публикация в формате сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл скрыть