Исследование пространственно-временного ИК излучения из GaAs в режиме акустоэлектрической неустойчивостистатья
Статья опубликована в журнале из списка RSCI Web of Science
Статья опубликована в журнале из перечня ВАК
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 24 января 2020 г.
Аннотация:Экспериментально измерялось пространственно-временное распределение ИК излучения из образцов GaAs с бегущим доменом методом электронно-оптической хронографии. Фотографировались как общий вид области люминесценции, так и ее изображение, развернутое во времени. Излучение из GaAs в режиме акустоэлектрической неустойчивости, по-видимому, наблюдается в областях сильных высокочастотных пьезоэлектрических полей, которые образуются в результате возникновения дополнительных звуковых потоков в домене в местах неоднородности электрического поля. В таких нестационарных условиях в акустоэлектрическом домене оказывается возможным и образование доменов Ганна. Высокое электрическое поле в них обусловливает ударную ионизацию зона-зона с последующей излучательной рекомбинацией генерированных носителей.