Structural Anisotropy of Amorphous Silicon Films Modified by Femtosecond Laser Pulsesстатья

Информация о цитировании статьи получена из Scopus, Web of Science
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 20 августа 2018 г.

Работа с статьей


[1] Structural anisotropy of amorphous silicon films modified by femtosecond laser pulses / D. V. Shuleiko, F. V. Kashaev, F. V. Potemkin et al. // Optics and Spectroscopy (English translation of Optika i Spektroskopiya). — 2018. — Vol. 124, no. 6. — P. 801–807. Показано, что ориентация поверхностного рельефа в виде одномерных решеток с периодом 1.20 ± 0.02 μm, формируемого при обработке пленок аморфного гидрогенизированного кремния фемтосе- кундными лазерными импульсами (1.25 μm) с плотностью энергии 0.15 J/cm2, определяется направлением вектора поляризации использованного излучения и совокупной дозой экспозиции. В облученных областях пленок зарегистрировано присутствие нанокристаллической фазы кремния, объемная доля которой (в зависи- мости от условий обработки) составляет от 15 до 67% согласно результатам анализа спектров комбинацион- ного рассеяния света. Наблюдаемые процессы микро- и наноструктурирования обусловлены соответственно возбуждением поверхностных плазмон-поляритонов и нанокристаллизацией в приповерхностной области в поле мощных фемтосекундных лазерных импульсов. Кроме того, обнаружено формирование полиморфных модификаций кремния Si-III и Si-XII при фемтосекундной лазерной обработке с числом импульсов излучения более 500, а также зарегистрирована анизотропия сигнала комбинационного рассеяния света для данных полиморфных модификаций. [ DOI ]

Публикация в формате сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл скрыть