ИК излучение из статического акустоэлектрического домена в GaAs при 77Кстатья

Статья опубликована в журнале из списка RSCI Web of Science
Статья опубликована в журнале из перечня ВАК
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 23 августа 2019 г.

Работа с статьей


[1] Курова И. А., Матохин В. В., Ормонт Н. Н. ИК излучение из статического акустоэлектрического домена в gaas при 77К // Физика и техника полупроводников. — 1974. — Т. 8, № 11. — С. 2258–2261. Впервые наблюдалось ИК излучение статического акустоэлектрического домена. Исследовалось распределение напряженности электрического поля в домене во времени. В условиях постоянного напряжения на образце со статическим доменом наблюдаются два пика излучения. Место излучения для первого и второго пиков одно и то же и приходится на область высокого поля домена. Полученные результаты обсуждаются.

Публикация в формате сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл скрыть