О некоторых исследованиях акустоэлектрической неустойчивости в GaAs при 77Кстатья

Статья опубликована в журнале из списка RSCI Web of Science
Статья опубликована в журнале из перечня ВАК
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 23 августа 2019 г.

Работа с статьей


[1] Курова И. А., Ормонт Н. Н. О некоторых исследованиях акустоэлектрической неустойчивости в gaas при 77К // Физика и техника полупроводников. — 1973. — Т. 7, № 10. — С. 2051–2052. В работе исследовались электрические характеристики акустоэлектрических доменов в образцах из монокристаллического GaAs при температуре жидкого азота. Обнаружено образование статического домена в области повышенного электрического поля в образце или у анода. Получено, что в одном образце в зависимости от направления электрического поля могут наблюдаться статические и бегущие домены.

Публикация в формате сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл скрыть