О некоторых электрических и оптических свойствах акусто-электрических доменв в GaAsстатья

Статья опубликована в журнале из списка RSCI Web of Science
Статья опубликована в журнале из перечня ВАК
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 23 августа 2019 г.

Работа с статьей


[1] Аносов И. В., Курова И. А., Ормонт Н. Н. О некоторых электрических и оптических свойствах акусто-электрических доменв в gaas // Физика и техника полупроводников. — 1972. — Т. 6, № 4. — С. 625–631. Исследованы движение, форма и величина максимального поля акусто-электрического домена в GaAs при комнатной температуре. Показано влияние искусственно созданных неоднородностей на эти характеристики домена. У границ неоднородностей, где в результате эффектов отражения акусто-электрического потока поле в домене растет, обнаружено ИК излучение с максимумом 9100А. Обсуждаются возможные механизмы излучения.

Публикация в формате сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл скрыть