Особенности эффекта Стеблера-Вронского в высокоомных слоях a-Si:H, слабо легированных боромстатья

Статья опубликована в журнале из списка RSCI Web of Science
Статья опубликована в журнале из перечня ВАК

Работа с статьей


[1] Курова И. А., Ормонт Н. Н., Громадин А. Л. Особенности эффекта Стеблера-Вронского в высокоомных слоях a-si:h, слабо легированных бором // Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. — 2001. — № 4. — С. 59–62. Обнаружено малое изменение темновой проводимости высокоомных слабо легированных бором пленок a-Si:H после освещения их белым светом. Показано также, что при этом наблюдается немонотонная аномальная кинетика изменения темновой проводимости пленок во время и после освещения. Показано, что в рамках модели образования фотоиндуцированных метастабильных состояний двух типов (метастабильных оборванных связей кремния и метастабильных электрически активных атомов бора) установленные особенности эффека Стеблера-Вронского обусловлены биполярностью темновой проводимости исследованных высокоомных пленок.

Публикация в формате сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл скрыть