|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных |
||
Visual TCAD simulation of total ionizing dose effects on advanced CMOS devices for space applicationsстатья
- Авторы: Muhammad Nabee Hanif, Muhammad Sajid, Chechenin N.G.
- Журнал: Journal of Aeronautics & Aerospace Engineering
- Том: 7
- Год издания: 2018
- Первая страница: 86
- Последняя страница: 86
- DOI: 10.4172/2168-9792-C1-023
- Добавил в систему: Чеченин Николай Гаврилович