Аннотация:Приведены результаты измерений кинетики изменения фотопроводимости (ФП) и темновой проводимости (ТП) нелегированных пленок a-Si:H во время и после освещения белым светом, а также температурных зависимостей отожженных и предварительно освещенных пленок.Было установлено, что при высоких температурах изменения ФП и ТП пленок со временем имеют сложные зависимости от интенсивности освещения и температуры во время освещения, что связано с наличием быстрых и медленных фотоиндуцированных процессов. Установлено, что при комнатных температурах превалирует быстрый процесс, обуславливающий понижение ФП и ТП во время освещения и связанный с образованием оборванных связей кремния в нижней половине запрещенной зоны. При температурах выше 400К преобладает медленный процесс, обуславливающий повышение ФП и ТП. Проводится анализ полученных результатов.