"Влияние температуры и интенсивности освещения на образование метастабильных состояний в a-Si9:H"статья

Статья опубликована в журнале из списка RSCI Web of Science

Информация о цитировании статьи получена из Scopus, Web of Science
Статья опубликована в журнале из перечня ВАК
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 20 сентября 2013 г.

Работа с статьей


[1] Курова И. А., Ормонт Н. Н. "Влияние температуры и интенсивности освещения на образование метастабильных состояний в a-si9:h" // Физика и техника полупроводников. — 2008. — Т. 42, № 4. — С. 447–450. В пленках a-Si:H обнаружено немонотонное изменение с увеличением температуры в интервале 400-480К концентрации медленных фотоиндуцированных метастабильных состояний и полуширины функции их распределения по временам отжига. Эти немонотонные изменения параметров ансамблей определяются зависящим от температуры соотношениия и отжига исследуемых метастабильных состояний. Установлено также, что при уменьшении интенсивности освещения пленки падение концентрации метастабильных состояний и полуширины их распределения по временам отжига начинается при более высоких температурах. Это возможно объяснить , в частности, существенным уменьшением скорости отжига медленных метастабильных состояний по сравнению с уменьшением скорости их фотоиндуцированного образования, включающего, согласно трехуровневой модели, и термический процесс. [ DOI ]

Публикация в формате сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл скрыть