Transition from quasi-hexagonal to quasi-one dimensional pores distribution during deep anodic etching of uniaxialle stressed silicon plateстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science,
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 8 декабря 2015 г.
Авторы:
Starkov V.,
Gavrilin B.,
Vyatkin A.,
Emelyanov V.,
Eremin K.
Аннотация:A gradual transition from quasi-hexagonal to quasi-one dimensional pore distribution during deep anodic etching of a
uniaxially stressed silicon plate was experimentally observed to increase with mechanical loading