|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных |
||
Transition from quasi-hexagonal to quasi-one dimensional pores distribution during deep anodic etching of uniaxialle stressed silicon plateстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science,
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 8 декабря 2015 г.
- Авторы: Starkov V., Gavrilin B., Vyatkin A., Emelyanov V., Eremin K.
- Журнал: Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering
- Том: 5401
- Год издания: 2004
- Издательство: SPIE, the International Society for Optical Engineering
- Местоположение издательства: Bellingham, WA, United States
- Первая страница: 225
- Последняя страница: 234
- DOI: 10.1117/12.557928
- Аннотация: A gradual transition from quasi-hexagonal to quasi-one dimensional pore distribution during deep anodic etching of a uniaxially stressed silicon plate was experimentally observed to increase with mechanical loading
- Добавил в систему: Емельянов Владимир Ильич