Structure of Si Near-surface Layer after 64Zn+ Ion Implantation at Elevated Temperatureстатья

Информация о цитировании статьи получена из Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 20 апреля 2016 г.

Работа с статьей


[1] Structure of si near-surface layer after 64zn+ ion implantation at elevated temperature / V. V. Privezentsev, V. S. Kulikauskas, V. V. Zatekin et al. // Surface Investigation X-Ray, Synchrotron and Neutron Techniques. — 2015. — Vol. 9, no. 4. — P. 804–811. The results of studying the structure and composition of the surface layer of a Si plate after 64Zn+ ion implantation and thermal annealing in oxygen are presented. The ions are implanted into a substrate heated to a temperature of 400oC. Radiation defects and profiles of implanted Zn and oxygen diffused into the substrate are studied by means of 1.7-MeV He+-ion Rutherford backscattering spectroscopy using the channeling technique. The implanted layers are visualized using high-resolution transmission electron microscopy in combination with electron diffraction and energy dispersive microanalysis. Atomic-force microscopy is used to study the surface morphology. [ DOI ]

Публикация в формате сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл скрыть